日前，美國存儲晶片廠商美光CEO桑傑·馬羅特拉（Sanjay Mehrotra）接受外媒採訪時發出預警，稱當前全球內存短缺可能延續至2026年之後，而行業真正意義上的大規模新產能釋放，至少要等到2028年。「廠房基礎建設是目前周期最長、挑戰最大的環節，土建完成後，設備入場、安裝調試同樣需要漫長周期。」馬羅特拉在弗吉尼亞州馬納薩斯工廠接受採訪時坦言。該工廠剛剛啟動了全美首個「1-alpha」工藝節點DRAM量產，這也是美光將先進內存製造迴流本土的關鍵一步。

由於全球存儲晶片緊缺，美光正在進行大規模擴產。根據之前美光披露的計劃，美光將在愛達荷州博伊西建設兩座先進晶圓廠，首座預計明年年中產出首批晶圓，第二座則要到2028年底；在紐約州錫拉丘茲規劃多達四座晶圓廠的生產集群。整體而言，美光計劃在全美投資高達2000億美元，目標是將本土產量佔全球總產量的比重從當前的約10%提升至40%。