據首爾經濟日報，三星電子將採用台積電的3納米制程，為英偉達下一代定製HBM晶片生產基底裸片。此舉將標誌着三星首次在HBM製造階段與台積電合作。

該報援引業界消息人士的話稱，英偉達已要求三星、SK海力士和美光科技採用台積電的工藝製造NVHBM基底裸片，並採用第六代DRAM技術製造其核心晶片。據該公司稱，今年8月發布的NVHBM將英偉達的定製內存控制器集成到基片中，旨在實現跨多家內存供應商的標準化實施。

據《首爾經濟日報》報道，三星在經過內部評估後接受了英偉達的要求，但計劃繼續採用自主生產模式來生產標準HBM以及面向其他客戶的定製產品。該報援引消息人士的話稱，三星還在評估，如果需求超過台積電的產能，其自有代工廠是否能夠生產NVHBM基底裸。