儲存晶片市場，中國生產商長江儲存冒起，勢干預行業供需。業界兩大龍頭三星電子和SK海力士據報擬升級在華晶片廠，生產更先進的儲存晶片作應對，

兩間大廠證實消息，並就相關計劃與美國政府密切磋商。

路透引述知情人士透露，這兩家公司正致力於在其中國工廠生產層數超過200層的NAND快閃記憶體晶片；這些工廠目前所生產的產品，其技術水準尚不及在韓國生產的晶片。NAND是一種在斷電後仍能保留資料的儲存晶片，廣泛應用於智慧型手機、個人電腦以及人工智慧（AI）資料中心的固態硬碟中。晶片的層數越多，代表儲存密度越高，成本也越低。

知情人士透露，三星計劃在2027年將西安工廠的生產轉向286層快閃記憶體晶片，而SK海力士計劃在其大連工廠生產層數在240層及以上的晶片。

知情人士又透露，SK海力士可能會尋求美國批准，以便在大連進行更先進技術的研發工作。