一條來自中國存儲領域的「新」消息，最近讓全球存儲晶片市場多了一點不安。10月10日，在上海舉行的第四屆集成晶片和芯粒大會上，長鑫存儲總裁曹堪宇公布了公司在4F² DRAM架構上的最新進展。

本文轉載自《阿爾法工場研究院》。

按照長鑫給出的時間表，公司預計在2026年底推出融合4F²架構、VSG垂直包圍溝道晶體管以及混合鍵合技術的新一代DDR5 RDIMM產品。這原本只是一場半導體技術會議上的發布。幾天之後，影響開始傳導到資本市場。

路透社10月13日報道稱，美國晶片股繼續下跌，其中存儲晶片公司跌幅尤其明顯，來自中國長鑫存儲的技術進展成為投資者擔心全球存儲競爭加劇的因素之一。三星電子、SK海力士和美光等存儲廠商的股價隨後也出現明顯波動。當然，這輪調整同時受到AI資本開支持續性、利率以及整個科技股估值等因素影響，很難將市場下跌全部歸因於長鑫。

市場的反應仍然傳遞出一個訊號：中國存儲廠商正在從一個「產能變量」，逐漸變成一個「技術變量」。過去三星、SK海力士和美光需要關注的核心問題，是中國DRAM產能擴張會不會帶來更多供給。現在市場開始進一步關注：中國公司會不會在下一代DRAM架構上，跑得比原先預計的更快？

長鑫押注新路線

理解4F²為什麼重要，首先要理解DRAM這門生意。一顆DRAM晶片裏面，存在數量龐大的存儲單元。每個存儲單元通常由一個晶體管和一個電容器組成，也就是所謂的「1T1C」。對於存儲晶片廠商而言，一個核心競爭指標就是，在相同面積的晶圓上能夠製造多少存儲單元。

目前DRAM行業主流採用的是6F²單元結構。這裏的F代表半導體製造中的最小特徵尺寸。所謂6F²，可以簡單理解為一個DRAM存儲單元佔據大約6個「最小特徵尺寸平方」的面積。長鑫這次公布的是4F²。如果只做一個簡單的幾何計算，從6F²縮小到4F²，單元面積理論上減少約三分之一。

在其他條件相同的情況下，相同晶片面積可以容納更多存儲單元。這也是4F²長期受到DRAM廠商關注的重要原因。隨着存儲密度不斷提高，傳統結構繼續微縮會越來越困難，新的晶體管結構和製造方式需要同步跟進。

問題在於，DRAM微縮遠比單純縮小尺寸複雜。晶體管越來越小之後，漏電、短溝道效應以及工藝複雜度都會迅速上升。長鑫給出的解決方案，是VSG，即Vertical Surrounded Gate，垂直包圍溝道晶體管。傳統DRAM晶體管繼續進行平面微縮後，會逐漸面臨物理極限。長鑫嘗試把晶體管結構進一步立體化，同時讓柵極從周圍包住溝道，以增強電流控制能力，並改善漏電等問題。

同時，長鑫還在推進混合鍵合。這種方案可以將存儲陣列和外圍邏輯電路分別製造，再通過晶圓級鍵合完成連接。兩部分能夠採用更加匹配自身特點的製造工藝，也為進一步提高存儲密度提供了新的技術路徑。

據曹堪宇披露，長鑫圍繞4F²已經擁有超過300個公開專利族，公司從成立早期即開始相關技術研究，並曾在2021年、2023年和2025年陸續披露研發成果。所以，這次真正值得關注的地方，在於長鑫正在嘗試改變DRAM繼續微縮的技術路線。這也是全球存儲產業競爭正在發生變化的一個縮影。

中國存儲開始換打法

如果長鑫只是把4F²應用到普通消費級內存產品上，市場反應可能不會如此強烈。這一次，它選擇的首款產品是DDR5 RDIMM。這是伺服器內存。這幾個字改變了整件事情的市場意義。過去中國DRAM廠商更容易首先進入PC、消費電子等市場，但伺服器市場的進入門檻明顯更高。

普通消費電子出現偶發內存錯誤，影響可能只是死機或者重啟。伺服器則需要7×24小時持續運行，大型數據中心甚至同時運行數萬乃至更多伺服器。

因此，伺服器內存對於穩定性、兼容性、可靠性以及客戶驗證週期的要求都非常高。三星、SK海力士和美光長期佔據伺服器DRAM的重要市場份額。AI又進一步推高了這塊市場的價值。

TrendForce數據顯示，隨着大模型訓練和AI推理需求增長，2026年第二季度HBM3E、LPDDR5X以及高容量RDIMM出貨同步增加。同期全球DRAM產業營收環比增長59.5%。其中三星以39.4%的DRAM營收份額位居第一，SK海力士為24.9%，美光為23.3%。三家公司依然控制着全球DRAM市場的大部分收入。但另一個數字正在變化。TrendForce相關統計顯示，長鑫2026年第二季度在全球DRAM營收中的份額已經升至約9.5%，高於第一季度的約7.6%，排名全球第四。9.5%距離三星39.4%的市場地位仍有很大差距。存儲行業真正敏感的地方，往往還包括新增供給。DRAM是一門週期性極強的生意。當市場主要由少數幾家公司控制先進產能時，供應增長相對克制，價格容易維持在較高水平。一旦新的大規模供應者進入，價格、庫存和利潤率都可能發生變化。

這也是長鑫的一項技術發布，會被美國和韓國市場迅速關注的原因。投資者需要重新評估未來全球DRAM市場的供給結構。過去很長一段時間，三星、SK海力士和美光掌握着先進DRAM市場的主要話語權。現在，這個判斷需要加入一個新的變量：長鑫可能比市場原先預計的更早進入高價值伺服器市場。如果4F² DDR5 RDIMM最終通過伺服器客戶驗證，並實現穩定的大規模生產，中國DRAM的競爭範圍將進一步延伸到伺服器市場。這對三星、SK海力士和美光都會形成新的壓力。

一場兩年大考

不過，把這次技術發布理解為「長鑫已經領先三星、SK海力士」，同樣為時過早。事實上，三星和SK海力士都在研究4F²。TrendForce援引相關信息稱，三星已經展示過結合4F²單元與晶圓級混合鍵合的16Gb原型，不過其商業化路徑仍然較為謹慎，相關技術真正進入市場還需要時間。SK海力士的動作同樣很快。今年6月，SK海力士就在VLSI 2026上公布了4F²垂直閘極（Vertical Gate）DRAM研究成果，包括位線屏蔽、背柵晶體管以及晶圓鍵合相關技術。

SK海力士將這項工作定位為未來DRAM產品的重要技術儲備。因此，4F²本身並不構成長鑫對三星、SK海力士的技術領先證明。真正值得觀察的是產品化速度。長鑫給出的目標是2026年底。這個時間表相當激進。但「推出產品」和「大規模商業化量產」之間存在很長一段距離。

截至目前，長鑫尚未公布這款4F² DDR5 RDIMM的具體容量、速度、製程節點、良率以及主要客戶驗證情況。對於伺服器內存來說，這些數據甚至比架構本身更加重要。晶片能做出來，是第一步。能不能以穩定良率連續生產，是第二步。通過伺服器廠商和雲計算客戶漫長的可靠性、兼容性測試，則是第三步。最終能否形成大規模訂單，還要看產品價格、供應穩定性以及客戶生態。

因此，市場目前更適合把長鑫4F²看作一個正在快速推進的技術變量。它已經足以影響投資者對未來DRAM供給的判斷，卻還不足以證明全球DRAM競爭格局已經發生根本變化。三星仍然擁有最大的DRAM收入份額。SK海力士在HBM領域擁有深厚積累，美光同樣在先進伺服器DRAM領域保持競爭力。

長鑫真正證明的，是中國存儲追趕者已經開始進入下一代DRAM技術競爭。過去幾年，中國半導體產業最常見的成長路徑，是圍繞國產替代展開。海外已經有成熟產品，中國企業再進行研發和量產。海外已經進入下一代工藝，中國廠商繼續追趕。

這種競爭模式的核心，是不斷縮小差距。4F²帶來的變化更值得關注。三星、SK海力士、長鑫都在探索下一代DRAM結構，最終誰能夠率先完成工藝驗證、提高良率、控制成本，並將產品交付給大型客戶，誰就可能在下一輪競爭中獲得更大的主動權。

因此，未來12到24個月，有幾個數字值得持續關注：良率是多少？成本是多少？能夠做到多大容量？伺服器客戶是誰？什麼時候大規模出貨？這些問題最終得到答案之後，市場才會真正知道長鑫4F²的商業價值。

如果長鑫能夠順利完成從技術驗證到大規模量產的跨越，那麼全球DRAM市場長期形成的「三強格局」將迎來一個重要變量。這可能帶來的影響，也遠不止一家公司的市場份額變化。DRAM價格、伺服器內存供應、AI數據中心成本，以及三星、SK海力士和美光的資本開支節奏，都可能受到影響。對於中國半導體產業來說，這也是一個重要轉折點。過去市場討論長鑫，更多關注「能不能做出DRAM」。

現在市場開始討論「下一代DRAM什麼時候能夠量產」。問題已經從產品有沒有，逐漸進入技術迭代、成本控制和全球競爭的問題。中國存儲產業真正值得關注的下一幕，可能就從這裡開始。