中國先進製程自給率2035年料升至66% 高盛:中芯國際將持續擴產

撰文:許祺安
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高盛近期發布報告指出,中國7納米及以下先進製程晶圓的自給率,預計將由2025年的8%,大幅升至2035年的66%。在生成式人工智能需求及半導體國產化推動下,中國先進製程供應增速,未來十年將明顯高於市場需求增長。

內地科技媒體「芯智訊」報道,高盛預計,2025年至2035年間,中國7納米及以下先進製程晶圓供應量將以年均46%的速度增長,顯著高於同期需求年均17%的增幅。

其中,在生成式人工智能熱潮帶動下,用於AI伺服器的先進製程晶圓需求,年均增長率預計達42%。至2035年,中國先進製程晶圓的每月需求量將增至61.9萬片,本土供應量則有望達到每月41萬片,自給率屆時將升至66%。

報告指出,這部分供應增長將主要由中芯國際推動,高盛預計,中芯國際在2026年至2031年間,每年將新增每月3萬至5萬片晶圓產能,先進製程良率亦有望由2026年的23%,逐步提升至2035年的75%。

中芯國際在先進製程上正在加快追趕步伐。(視覺中國)

同時,隨着人工智能應用持續擴大,AI運算需求預計將由訓練端逐漸轉向推理端。按照高盛的基準情境估算,中國AI晶片總潛在市場規模至2030年將達6776億美元,其中推理需求約為4735億美元,相當於訓練需求的約2.3倍。

在各類推理需求中,處理複雜AI代理任務將成為最大的單一需求來源。高盛預計,在基準情境下,複雜AI代理任務約佔整體推理需求的90%。

高盛同時將中國半導體產業2030年的資本開支預測上調至820億美元,較一年前的預測大幅提高79%,主要原因是生成式人工智能帶來強勁需求,以及中國半導體國產化進程全面推進。

另在記憶體晶片方面,高盛預計,至2028年,長鑫存儲將可滿足中國約50%的DRAM需求,以及40%的高頻寬記憶體(HBM)需求。

不過,由於先進晶圓製造設備供應受限,長鑫存儲與全球主要記憶體晶片供應商之間,仍存在約兩至三個世代的技術差距,且短期內不太可能明顯收窄。因此,中國相當一部分DRAM需求仍須依賴海外供應商,三星電子及SK海力士在中國市場仍有相當大的發展機會。晶圓製造設備方面,報告預計,中國本土設備商的營收佔比將由2026年的31%,提高至2028年的38%。