長江存儲在美狀告美光　指控侵犯8項3D NAND專利

中國最大閃存晶片製造商長江存儲，在美國法院起訴美國存儲晶片公司美光科技美光科技（Micron Technology） 以及子公司侵犯其八項美國專利。

第一財經星期六（11月11日）從美國加州北區法院公布的訊息了解到，長江存儲已於星期四（11月9日）起訴美光及全資子公司美光消費產品集團侵犯其八項美國專利。長江存儲在專利侵權起訴書中稱，訴訟是為了終止美光廣泛且未經授權使用長江存儲專利創新。

長江存儲是中國最大的3D NAND快閃記憶體製造廠商。長江存儲在起訴書中提到，美光使用長江存儲的專利技術，以抵禦來自長江存儲的競爭，並獲得和保護市場份額。訴訟旨在解決以下問題的一個方面：美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash市場來阻止競爭和創新。

長江存儲也在起訴書中稱，長江存儲不再是新秀，而已成為全球3D NAND市場的重要參與者。長江存儲稱，去年11月，分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結論：長江存儲是3D NAND閃存領域的領導者，超過了美光。

根據第一財經，NAND Flash和DRAM是目前最主要的兩種存儲介質，NAND Flash可製造固態硬盤（SSD）等存儲器，用於手機、伺服器、PC等產品。集邦諮詢數據顯示，今年第二季度，全球NAND Flash品牌廠商中，三星、鎧俠、SK Group、威騰電子、美光的市佔率分別為31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%，其他廠商佔比僅3.8%。

美國商務部工業和安全局2022年10月發布出口管制新規，限制對中國出口晶片製造設備等，將長江存儲NAND Flash晶片層數卡在已量產的最新工藝上。當年12月，美國又將長江存儲納入出口管制實體清單。

除NAND Flash外，美光也是主要的DRAM生產商之一。2016年，生產DRAM的另一大存儲晶片廠商福建晉華與聯電簽署技術合作協議，開發DRAM相關製程技術，在福建晉江投資56.5億美元建設一條12英寸晶圓廠生產線。2017年，美光在美國起訴晉華與聯電，稱晉華員工竊取其知識產權交給晉華。2018年，美國商務部又將晉華列入出口管制實體清單。

本文獲《聯合早報》授權轉載