中國存儲晶片龍頭長鑫存儲20日（周日）在合肥舉行的2026世界製造業大會上，宣布第五代DRAM（動態隨機存取記憶體）技術平台正式量產，以更低成本和能耗，製造性能更強大的存儲晶片，並為智能手機及其他電子設備的製造商提供額外的晶片供應源。

綜合《澎湃新聞》等報道，長鑫披露，這項新技術平台將存儲數據的微小結構排列得更緊密，從而在單顆晶片上集成更多內存，並使每片矽晶圓（晶片核心基礎材料）能切割出更多晶片。

長鑫科技副總裁兼市場中心負責人駱曉東表示：「我們的工藝能力目前已與業界最先進的量產節點相當。」

據介紹，長鑫通過四重曝光技術把內存陣列的有源區半間距微縮至11.95納米，接近全球最頂尖的內存量產平台製程。

此外，長鑫也發布兩款利用新技術平台打造的大容量LPDDR5X產品。LPDDR5X是一種節能型DRAM，主要用於智能手機及其他便攜式電子設備。

長鑫表示，與上一代產品相比，新產品數據容量提升了50%以上，並已進入正式量產，全面進入國產主流旗艦手機。