瑞銀集團分析師預計，中國半導體制造能力未來十年內可能仍難取得足夠進展，以開發出可替代阿斯麥（ASML，又譯艾司摩爾）尖端極紫外光刻（EUV）技術的可行方案。

據彭博社報道，瑞銀分析師在一份報告中寫道：「它們（中國）目前的發展階段，似乎與阿斯麥2004年時相近。」

北京一直向國內晶片產業投入國家資本，以實現自給自足。不過，美國主導的尖端晶片製造設備出口限制，阻礙了這一進程。

總部位於荷蘭的阿斯麥，是全球唯一一家生產先進光刻機的廠商，這類設備對於製造先進半導體至關重要。中國是阿斯麥的主要市場之一，但這家晶片設備巨頭被禁止向中國出售極紫外光刻設備。

瑞銀分析師根據專利活動，尤其是光源和激光子系統方面的專利判斷，中國目前的技術成熟度與阿斯麥開始量產極紫外光刻設備前15年時相當。

分析師說：

考慮到中國光刻設備在良率和吞吐量方面可能與阿斯麥存在差距，加上監管限制，我們認為中國光刻設備不太可能在中國境外投入使用。

儘管如此，瑞銀預計，中國將在兩到五年內具備大規模製造浸沒式深紫外（DUV）光刻機的能力。雖然浸沒式深紫外光刻機不如極紫外系統先進，但仍是晶片製造的關鍵設備，通過光線將複雜的電路圖案印製到硅晶圓上。

彭博社報道，阿斯麥的浸沒式深紫外光刻機售價接近9000萬美元。相比之下，先進的極紫外光刻設備每台售價超過2億美元。

此前，路透社7月28日引述消息人士證實中國開始生產國產DUV，並點名僅創立三年的上海愛晟納電子科技集團，在整合來自中國頂尖光刻初創公司的團隊後，正領導生產工作。

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【本文獲《聯合早報》授權轉載。】