中國長鑫存儲（CXMT）取得突破，宣布今年內實現新一代DRAM（動態隨機存取記憶體）技術4F²（4F Square） 商業化，引發市場關注，且消息造成三星電子及SK海力士股價相繼下跌。世界首富馬斯克（Elon Musk）也發聲，直言一旦中國掌握特定產品的製造技術，其規模化量產能力往往會超越全世界其餘地區的總和。

長鑫存儲的新消息引發不少韓媒關注，《朝鮮日報》報道，DRAM由數十億個用於存儲數據的基本單元組成，其單元結構的最小線寬被稱為特徵尺寸（Feature Size）。新技術最大優勢在於無需將電路做得更微細，就能在相同面積的半導體上增加最多50%的單元數量，這不僅能在同等大小的晶片上存儲更多數據，或者製造出相同容量但體積更小的晶片，以及增加每張晶圓產出的晶片數量。

消息一出，引發韓國半導體企業競爭力優勢將消失的危機論，雖然對於長鑫是否有能力將該計劃完全實現尚未得到認證，但報道指，韓國半導體業的繁榮期可能提前結束的機會擴大。

與此同時，韓國和美國的代表性半導體企業股價相繼下挫，三星電子13日跌7.39%，SK海力士也跌10.09%，而美國美光亦同樣出現下跌。

特斯拉（Tesla）創辦人馬斯克於社交平台警告，對中國市場記憶體追趕速度提高產生疑慮，表示在中國掌握如何製造某種產品時，其大規模生產能力亦會提升至全世界生產的總和。

他提及中國在鋰電池與太陽能領域的發展，表示雖然SpaceX在火箭運載重量方面領先全球，但中國卻承擔SpaceX以外大部份太空運載量。

他亦表示中國在目前及下一代低功耗雙倍資料率（LPDDR5、LPDDR6）的技術方面快速追趕，但堆疊式高頻寬記憶體（HBM）這類新晶片架構「將更難解決」。