中國本周傳出已開始生產自主研發的浸沒式深紫外光刻機（DUV），預計今年內交付約五台這類晶片製造關鍵設備。受訪學者評估，若消息屬實，意味着美國對華科技戰持續數年的「小院高牆」策略宣告失效，中國應對美國以晶片和光刻機掐脖子取得里程碑式突破，但在設備質素追趕行業龍頭可能有待數年。

美國科技媒體《訊息報》（The Information）星期一（7月27日）引述兩名消息人士披露，位於上海的一家國資企業開始生產深紫外光刻機（Deep Ultraviolet Lithography，簡稱DUV），並已從光刻初創公司上海宇量升科技等其他中國企業抽調人員，組建研發團隊，計劃今年生產約五台DUV，明年目標約20台，預計今年內交付中芯國際、華虹半導體和長鑫存儲。這三家中國主要晶片製造商，目前受到不同程度的美國制裁與出口管制限制。

因荷蘭晶片設備製造巨頭艾司摩爾（ASML）被禁止對華出口最先進的極紫外光刻機（Extreme Ultraviolet Lithography，簡稱EUV），浸沒式DUV成為中國晶片製造商目前能使用的最先進光刻設備，用於在矽晶圓上印製電路圖形。報道稱，中國也正在研發國產EUV，但目前仍處於原型機階段。

路透社（Reuters）星期二（7月28日）引述消息人士證實中國開始生產國產DUV，並點名僅創立三年的上海愛晟納電子科技集團，在整合來自中國頂尖光刻初創公司的團隊後，正領導生產工作。

中國企業訊息查詢系統「天眼查」資料顯示，上海愛晟納成立於2023年8月，註冊資本逾70億元人民幣，專注於半導體與電子專用設備研發、製造和銷售，由上海電氣控股和上海國際信託旗下子公司等兩家國有企業持股。

新加坡管理大學李光前商學院金融學副教授傅方劍接受《聯合早報》採訪時說：「如果這個消息屬實，那當然是代表中國在科技攻關、克服美國卡脖子取得一個里程碑式的突破。」

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傅方劍指出，美國拜登（Joe Biden）時期升級對華科技戰，聯合日本、台灣、荷蘭等晶片供應鏈方卡中國大陸脖子；美國國會今年4月還推動《硬件技術多邊協調管制法案》（MATCH Act），進一步限制北京獲取艾司摩爾DUV等設備及售後服務。

他說：「中國早就知道這塊必須自立自強，美國是不可能放鬆的，所以中國確實一直在組織，生產國產DUV只是什麼時候做出來的問題。」

消息人士稱，愛晟納的DUV光刻機預計還需進一步測試，與艾司摩爾機型相比還有很大差距，不會直接構成商業威脅。但投資者仍擔憂這將對這家荷蘭巨頭在華市場地位構成挑戰，導致艾司摩爾股價星期一（7月27日）跌至6月初以來最低水平，一度重挫8.3%。

摩根大通分析師星期二（7月28日）在報告中指出，生產少量DUV工具，與大批量生產不同，「在大批量生產中，良率、套刻精度、吞吐量和數千片晶圓運行的可靠性才是關鍵」。

傅方劍認為，儘管中國加速生產國產DUV，但「剛出來的機器還需要各方測試，質素還需要磨合提高，再給個三四年，才可能做得和艾司摩爾的DUV質素相差無幾」。

新加坡優勢研究諮詢公司聯合創始人張帆受訪時指出，中美科技戰已持續八九年，中國期間在重建設備體系方面取得相當大的進展。「現在中國的第一代DUV，性能肯定還不如艾司摩爾現有的產品，但有了基礎以後，其實產品是可以迭代的，中國突破七納米（晶片）只是時間問題」。

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張帆認為，中國一旦加速開發國內替代產品，「可能假以時日就會全面對美國技術為主導的半導體產業，產生真正的『生存級的威脅』」。

張帆並指出，美國對華發起科技圍堵已失效並宣告破產，「拜登任期內採取的小院高牆政策，基本上完全沒有達到預定效果，美國應該考慮把牆拆了，就像當初柏林牆拆掉一樣，這個牆存在沒有任何意義了」。

儘管硬件方面取得可觀進展，但張帆指出，中國在晶片算力方面仍與美國有差距。他呼籲中國考慮在未來兩三年的過渡期，引進更多有性能優勢的美國晶片，以確保中國人工智能（AI）模型有足夠算力支撐迭代，以跟上美國模型的更新步調。

他說：「（中國）需要有兩條腿走路的均衡態勢，全部都要求只能用國產晶片，就會變成單腳跳，單腳是跑不快的。」

什麼是深紫外線（DUV）與極紫外線（EUV）？

DUV（深紫外線）和 EUV（極紫外線）是製造半導體晶片最核心的兩大光刻技術。兩者的本質區別在於光源波長不同，DUV是支撐當前行業產能的「中流砥柱」，EUV則是突破物理極限、攀登性能巔峰的「行業金字塔尖」。

據艾司摩爾官網、中國科學院微電子研究所等介紹，DUV波長193納米，如同細筆，通過多次曝光雕刻電路，適用於生產七納米以上成熟晶片，包括多數汽車晶片、手機基帶等。

EUV波長驟降至13.5納米，如同超細針管筆，必須在真空環境下通過反射鏡運作，主要用於生產五納米、三納米及以下先進晶片，包括高端手機SoC（System on Chip）、人工智能等晶片。

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【本文獲《聯合早報》授權轉載。】