還在2nm級別上苦苦掙扎？「藍色巨人」再次發威了！IBM正式發布了全球第一款1nm以下工藝的晶片，確切地說是0.7nm，相當於7埃米，正式邁入埃米時代！

它的面積只有指甲蓋大小，但集成了多達1000億個電晶體，幾乎是IBM 2021年同樣全球首發的2nm晶片的兩倍。

根據IBM公布的數據，它的性能比2nm晶片提升了多達50％，能效更是飆升70％。另外，IBM此前發布的研究結果顯示，納米堆疊架構可以將SRAM的面積縮小40％。

為實現如此先進工藝和超高密度，IBM應用了一系列結構和材料方面的創新，比如首創的三維納米堆疊架構（3D Nanostack），從而不僅僅縮小了電晶體尺寸，還重構了晶片底層的設計和製造邏輯。

3D納米堆疊在業內首次實現了納米片（nanosheet）的3D立體堆疊，將電晶體垂直交錯、分層堆疊，並藉助3D順序集成技術，在同等面積晶圓上容納更多電晶體。

同時，每一層堆疊結構都可以搭配不同的材料組合，從而獨立優化不同電晶體的性能、功耗，互不影響。

通過CMOS工藝超薄介質鍵合、雙通道器件工程驗證、標準CMOS反相器完整開關功能測試等，IBM在實驗層面完成了納米堆疊架構的可行性驗證。結果證明，納米堆疊工藝可以投入實際產品的量產，不過預計最快也需要5年左右。

此外，IBM還將成立全球第一家純量子晶圓代工企業Anderon，作為獨立子公司，背靠IBM雄厚技術實力，為客戶尤其是美國晶片企業提供代工服務。

雖然如今的工藝節點已經不代表真實的物理線寬，但這足以說明，當電晶體尺寸逼近原子量級的時候，依然可以通過深度技術改進來達成，並實現性能和能效的持續飛躍。

IBM自信地表示，納米堆疊結構可以支撐未來至少10年的工藝迭代升級，IBM也即將第一次從ASML引入最先進的高NA EUV光刻機。摩爾定律，依然沒有死！

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