華為開始研發核心器件計劃曝光：正從某國撬人

在德法領導人先後表態中國華為公司5G安全問題後，中國媒體11月28日披露，在被美國列入「實體清單」後，華為開始低調研發IGBT，目前正在撬人。

據中國知名集成電路及手機行業門戶網站集微網11月28日援引業內人士的話稱，華為已開始自主研發IGBT器件，目前正在從某國領先的IGBT廠商中撬人。

IGBT作為自動控制和功率變換的核心部件，對於軌道交通、航空、太空、新能源、智能電網、智能家電這些朝陽產業至關重要。

另據華為官網顯示，IGBT早已成為其UPS電源的核心器件。做為一種雙極晶體管複合的器件，IGBT不僅具有易於驅動，控制簡單，開關頻率高等優點，同時又具備導通電壓低，通態電流大，損耗小等技術優勢。

公開消息顯示，華為的研發此前並不涉及功率半導體，而其需要的IGBT產品主要從英飛凌（Infineon Technologies）等IGBT原廠處採購。不過，在被美國加入「實體清單」後，華為選擇開始研發IGBT器件。

集微網稱，隨着全球製造業向中國的轉移，中國功率半導體市場佔世界市場的50%以上，是全球最大的IGBT市場。

但IGBT產品嚴重依賴進口，長期被德國英飛凌，日本三菱，日本富士電機等巨頭壟斷。更值得注意的是，在中高端領域的IGBT器件更是90%以上依賴進口，IGBT國產化迫在眉睫。

事實上，中國一直試圖打破IGBT基本依賴於進口的窘境。工信部也在10月8日表示，將持續推進芯片、IGBT模塊等產業發展。目前，北車西安永電是中國第一個、世界第四個能夠封裝6500V以上IGBT產品的企業。