儘管遭受美國制裁壓力，中國記憶體大廠長江存儲（YMTC）在推動半導體設備「全國產化」方面取得重大進展。據美國科技網站Tom's Hardware與內地科技媒體快科技報道，該公司正加快建設中國首條全採用本土設備的試驗產線，預計將於今年下半年開始試產，並力爭在2026年底前挑戰全球NAND快閃記憶體市場15%的供應份額。

綜合報道指出，長江存儲自2022年底被美國商務部列入實體清單以來，依然持續推進產能擴張。公司不僅在去年底將月產能提升至13萬片，預計2025年增產至15萬片的產能（WSPM），對應全球NAND Flash供應約8%。目前其產能已接近13萬片晶圓，並開始出貨232層TLC晶片X4-9070，該款晶片透過雙層堆疊總計達294層。

報道指出，與全球其他NAND供應商因需求疲弱與價格壓力而選擇減產不同，長江存儲仍持續增產擴張。儘管受限於高階製程設備的採購管制，公司仍計劃提升產量至15萬片，並以2026年市場佔有率達15%為目標。

報道表示，為降低對美國與外國設備的依賴，長江存儲正建構一條完全使用中國設備的試驗產線，作為因應美國限制出口128層以上堆疊技術的戰略對策。報道稱，該試驗線為中國晶片設備自主化的重要試金石，若能成功將助力長江存儲進一步擴大量產規模，並向100%設備國產化邁進。

另有市場分析指出，若長江存儲可將月投片量提升至20萬片，將具備左右全球NAND Flash價格走勢的能力。根據分析，長江存儲2024年生產線上的半導體設備國產化比率已達45%，遠高於業界平均，主要集中在蝕刻、沉積等環節。

產品技術方面，長江存儲路線圖涵蓋1TB的TLC設備、預計於年內推出的3D QLC晶片X4-6080，以及2TB TLC產品X5-9080。未來將導入超過300層堆疊技術，提升單片晶圓輸出位元，儘管製程時間增長、月投片量下降，總產出仍可持續成長。

知名半導體研究機構TechInsights的報告指出，長江存儲最新推出的「Xtacking 4.0」晶片性能已可與國際領先業者匹敵。但報告同時指出，中國在極紫外微影（EUV）等關鍵技術領域仍存在技術差距，未來能否持續成長，將取決於縮小設備與產量差距的能力。